編輯推薦

注重方法：本書從工程求解角度定義了一種非常清晰的9步問題求解方法，書中提供的大量設計實例採用該方法進行求解，有助於讀者加深對相關電路設計的理解與掌握。

注重實踐：本書每一章都提供了大量的設計實例，每一章的後都會給出專門的設計習題、電腦習題和SPICE習題，並具有線上的習題指導。

軟件模擬：本書全部採用電腦作為輔助工具，注重電子技術的運用，包括利用MATLAB、試算表或者利用高階語言來開發設計選項，許多電路設計提供了SPICE模擬模型，便於讀者對所設計電路進行效能上的類比驗證。

內容全面：本書既有電子學相關的基礎概念、分析方法，也有電子元器件相關的電路效能、元器件特性、電路分析與設計，內容由淺入深，前後聯接緊密，能够激發讀者學習興趣，並能啟迪讀者創新。

內容簡介

本書系統論述了類比電子技術的基本知識及其應用。 作者從放大器主要概念入手，由淺入深地詳細介紹了放大器相關概念及二埠模型、迴響放大器頻率回應、小訊號建模、單晶體管放大器、差分放大器、迴響放大器以及振盪器等內容，詳細列舉了類比電路的相關原理、分析及設計方法。 本書從工程求解角度定義了一種非常清晰的問題求解方法，書中提供的大量設計實例都是採用該方法進行求解，有助於讀者加深對相關電路設計的理解與掌握。 通過本書的學習，讀者可以全面掌握類比電子技術的概念和知識，能够學會類比電路的分析及電路設計方法，書中給了大量的設計練習可供讀者進行學習與實踐。 本書可以作為電子資訊類、電氣類專業大學生或研究生作為專業教材或參考書，也可以作為從事固態電子學與器件、數位電路和類比電路設計或開發的工程技術人員的參考資料。

作者簡介

[美]理查·C.耶格（Richard C. Jaeger）：美國佛羅里達大學電氣工程專業博士，奧本大學電力與電腦工程系資深教授，1995年被任命為研究生院傑出導師，主要研究領域為固態電路和器件、電子封裝、壓阻應力感測器、低溫電子設備、VLSI設計以及電子設備和電路中的雜訊等。

[美]特拉維斯·N.布萊洛克（Travis N. Blalock）：美國佛吉尼亞大學電力與電腦工程系教授。

目錄

第1章類比系統和理想運算放大器

1.1類比電子系統示例

1.2放大作用

1.2.1電壓增益

1.2.2電流增益

1.2.3功率增益

1.2.4分貝

1.3放大器的二埠模型

1.4源和負載電阻的失配

1.5運算放大器簡介

1.5.1差分放大器

1.5.2差分放大器的電壓傳輸特性

1.5.3電壓增益

1.6放大器的失真

1.7差分放大器模型

1.8理想差分放大器和運算放大器

1.9含有理想運算放大器的電路分析

1.9.1反相放大器

1.9.2互阻放大器——電流電壓轉換器

1.9.3同相放大器

1.9.4組織增益緩衝器

1.9.5求和放大器

1.9.6差分放大器

1.10迴響放大器的頻率特性

1.10.1伯德圖

1.10.2低通放大器

1.10.3高通放大器

1.10.4帶通放大器

1.10.5有源低通濾波器

1.10.6有源高通濾波器

1.10.7積分器

1.10.8微分器

小結

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參考文獻

補充閱讀

習題

第2章非線性運算放大器和迴響放大器的穩定性

2.1經典迴響系統

2.1.1閉環增益分析

2.1.2增益誤差

2.2含有非理想運算放大器的電路分析

2.2.1有限開環增益

2.2.2非零輸出電阻

2.2.3有限輸入電阻

2.2.4非理想反相和同相放大器小結

2.3串聯迴響和並聯迴響電路

2.4迴響放大器計算的統一方法

2.5電壓串聯迴響放大器——電壓放大器

2.5.1閉環增益計算

2.5.2輸入電阻計算

2.5.3輸出電阻計算

2.5.4電壓串聯迴響放大器小結

2.6電壓並聯迴響放大器——跨阻放大器

2.6.1閉環增益分析

2.6.2輸入電阻計算

2.6.3輸出電阻計算

2.6.4電壓並聯迴響放大器小結

2.7電流串聯迴響放大器——跨導放大器

2.7.1閉環增益計算

2.7.2輸入電阻計算

2.7.3輸出電阻計算

2.7.4電流串聯迴響放大器小結

2.8電流並聯迴響放大器——電流放大器

2.8.1閉環增益計算

2.8.2輸入電阻計算

2.8.3輸出電阻計算

2.8.4電流並聯迴響放大器小結

2.9使用持續電壓和電流注入法計算回路增益

2.10利用迴響减小失真

2.11直流誤差源和輸出擺幅限制

2.11.1輸入失調電壓

2.11.2失調電壓調節

2.11.3輸入偏置電流和輸入失調電流

2.11.4輸出電壓和電流限制

2.12共模抑制比和輸入電阻

2.12.1有限共模抑制比

2.12.2共模抑制比的重要性

2.12.3由CMRR產生的電壓跟隨器增益誤差

2.12.4共模輸入電阻

2.12.5CMRR的另一種解釋

2.12.6電源抑制比

2.13運算放大器的頻率回應和頻寬

2.13.1同相放大器的頻率回應

2.13.2反相放大器的頻率回應

2.13.3利用迴響控制頻率回應

2.13.4大訊號限制——擺率和滿功率頻寬

2.13.5運算放大器頻率回應的巨集模型

2.13.6運算放大器的SPICE巨集模型

2.13.7通用運算放大器實例

2.14迴響放大器的穩定性

2.14.1奈奎斯特圖

2.14.2一階系統

2.14.3二階系統和相位裕度

2.14.4階躍響應和相位裕度

2.14.5三階系統和增益裕度

2.14.6根據伯德圖判斷穩定性

小結

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參考文獻

習題

第3章運算放大器應用

3.1級聯放大器

3.1.1二埠表示

3.1.2放大器專有名詞回顧

3.1.3級聯放大器的頻率回應

3.2儀錶放大器

3.3有源濾波器

3.3.1低通濾波器

3.3.2自帶增益的高通濾波器

3.3.3帶通濾波器

3.3.4靈敏度

3.3.5幅值和頻率縮放

3.4開關電容電路

3.4.1開關電容積分器

3.4.2同相開關電容積分器

3.4.3開關電容濾波器

3.5數/模轉換

3.5.1數/模轉換基礎

3.5.2數/模轉換器誤差

3.5.3數/模轉換電路

3.6模/數轉換

3.6.1模/數轉換基礎

3.6.2模/數轉換器誤差

3.6.3基本模/數轉換科技

3.7振盪器

3.7.1振盪器的巴克豪森準則

3.7.2帶頻率選擇的RC電路振盪器

3.8非線性電路的應用

3.8.1精密半波整流器

3.8.2非飽和的精密整流電路

3.9正回饋電路

3.9.1比較器和施密特觸發器

3.9.2非穩態多諧振盪器

3.9.3單穩態多諧振盪器或單穩態電路

小結

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參考文獻

習題

第4章小訊號建模與線性放大器

4.1電晶體放大器

4.1.1BJT放大器

4.1.2MOSFET放大器

4.2耦合電容和旁路電容

4.3用直流和交流等效電路進行電路分析

4.4小訊號模型簡介

4.4.1二極體小訊號行為的圖形解釋

4.4.2二極體的小訊號建模

4.5雙極型電晶體的小訊號模型

4.5.1混合π模型

4.5.2圖解跨導

4.5.3小訊號電流增益

4.5.4BJT的固有電壓增益

4.5.5小訊號模型的等效形式

4.5.6簡化的混合π模型

4.5.7雙極型電晶體的小訊號的定義

4.5.8pnp電晶體的小訊號模型

4.5.9用SPICE進行交流分析和瞬態分析的對比

4.6共射極放大器

4.6.1端電壓增益

4.6.2輸入電阻

4.6.3信號源電壓增益

4.7重要限制及模型簡化

4.7.1共射極放大器的設計指導

4.7.2共射極增益的上限

4.7.3共射極放大器的小訊號限制

4.8場效應管的小訊號模型

4.8.1MOSFET的小訊號模型

4.8.2MOSFET的本征電壓增益

4.8.3MOSFET小訊號工作的定義

4.8.4四端MOSFET中的體效應

4.8.5PMOS管的小訊號模型

4.8.6結型場效應管（JFET）的小訊號模型

4.9BJT和FET小訊號模型小結與對比

4.10共源極放大器

4.10.1共源端電壓增益

4.10.2共源極放大器的信號源電壓增益

4.10.3共源極放大器的設計指導

4.10.4共源極放大器的小訊號限制

4.10.5共射極和共源極放大器的輸入電阻

4.10.6共射極和共源極放大器的輸出電阻

4.10.73個放大器實例的比較

4.11共射極和共源極放大器小結

4.12放大器功率和訊號範圍

4.12.1功耗

4.12.2訊號範圍

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習題

第5章單級電晶體放大器

5.1放大器類型

5.1.1雙極型電晶體的訊號注入和抽取

5.1.2場效應管的訊號注入和抽取

5.1.3共射極和共源極放大器

5.1.4共集電極和共漏極放大器

5.1.5共基極和共柵極放大器

5.1.6小訊號模型回顧

5.2反相放大器：共射極和共源極電路

5.2.1共射極放大器

5.2.2共射極放大器實例的比較

5.2.3共源極放大器

5.2.4共源極放大器的小訊號範圍

5.2.5共射極和共源極放大器特性

5.2.6共射極/共源極放大器小結

5.2.7通用共射極/共源極電晶體的等效電晶體表示

5.3跟隨器電路：共集電極和共漏極放大器

5.3.1端電壓增益

5.3.2輸入電阻

5.3.3信號源電壓增益

5.3.4跟隨器訊號範圍

5.3.5跟隨器的輸出電阻

5.3.6電流增益

5.3.7共集電極/共漏極放大器小結

5.4同相放大器：共基極和共柵極電路

5.4.1端電壓增益和輸入電阻

5.4.2信號源電壓增益

5.4.3輸入信號範圍

5.4.4集電極和漏的電阻

5.4.5電流增益

5.4.6同相放大器的總體輸入電阻和輸出電阻

5.4.7共基極/共柵極放大器小結

5.5放大器原型回顧和比較

5.5.1雙極型電晶體放大器

5.5.2FET放大器

5.6採用MOS反相器的共源極放大器

5.6.1電壓增益估算

5.6.2詳細分析

5.6.3其他可選負載

5.6.4輸入電阻和輸出電阻

5.7耦合電容和旁路電容設計

5.7.1共射極和共源極放大器

5.7.2共集電極和共漏極放大器

5.7.3共基極和共柵極放大器

5.7.4設定下限截止頻率fL

5.8放大器設計實例

5.9多級交流耦合放大器

5.9.1三級交流耦合放大器

5.9.2電壓增益

5.9.3輸入電阻

5.9.4信號源的電壓增益

5.9.5輸出電阻

5.9.6電流和功率增益

5.9.7輸入信號範圍

5.9.8估算多級放大器的截止頻率下限

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習題

第6章差分放大器和運算放大器設計

6.1差分放大器

6.1.1雙極型和MOS差分放大器

6.1.2雙極型差分放大器的直流分析

6.1.3雙極型差分放大器的傳輸特性

6.1.4雙極型差分放大器的交流分析

6.1.5差模增益及輸入電阻和輸出電阻

6.1.6共模增益和輸入電阻

6.1.7共模抑制比

6.1.8差模和共模的半電路分析

6.1.9電流源的偏置

6.1.10在SPICE中為電子電流源建模

6.1.11MOSFET差分放大器的直流分析

6.1.12差模輸入信號

6.1.13MOS差分放大器的小訊號傳輸特性

6.1.14共模輸入信號

6.1.15差分對模型

6.2基本運算放大器的演進

6.2.1運算放大器的兩級原型

6.2.2提高運算放大器的電壓增益

6.2.3達林頓對

6.2.4减小輸出電阻

6.2.5CMOS運算放大器原型

6.2.6BiCMOS放大器

6.2.7全電晶體實現電路

6.3輸出級

6.3.1源極跟隨器——A類輸出級

6................................

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編輯推薦

本書全面介紹了數位電子技術的基礎知識及其應用，從邏輯電路的邏輯門、布林代數等概念出發，詳細闡述了數位電子技術的基本概念及分析設計原理。 本書主要講解邏輯門和存儲單元的設計，對NMOS、PMOS邏輯設計、記憶體單元及其周邊電路、觸發器及雙極型邏輯設計都進行了詳細的論述，並且包含了對ECL、CML和TTL的討論。

內容簡介

本書作者是斯坦福大學教授，全書系統論述了微電子電路設計的原理與方法，是一本在北美廣泛使用的教材。 書中不僅給出了基本理論，而且給出了大量電子電路設計的實例，可以作為研究人員與工程人員的參攷讀物，也可作為高校學生的教材。

作者簡介

Travis Blalock is an Associate Professor in the Department of Electrical and Computer Engineering at University of Virginia.

Richard Jaeger earned his bachelor's，master's，and doctoral degrees in electrical engineering from the University of Florida. Professor Jaeger was one of the first three faculty members appointed Distinguished University Professor by Auburn University.

目錄

第1章數字電子電路簡介

1.1理想邏輯門

1.2邏輯電平和雜訊容限

1.2.1邏輯電平

1.2.2雜訊容限

1.2.3邏輯門的設計目標

1.3邏輯門的動態響應

1.3.1上升時間和下降時間

1.3.2傳輸延遲

1.3.3功耗延遲積

1.4布林代數回顧

1.5 NMOS邏輯設計

1.5.1帶負載電阻的NMOS反相器

1.5.2 MS的W/L設計

1.5.3負載電阻設計

1.5.4負載線的視覺化

1.5.5開關器件的導通電阻

1.5.6雜訊容限分析

1.5.7 VIL和VOH的計算

1.5.8 VIH和VOL的計算

1.5.9電阻負載反相器雜訊容限

1.5.1 0負載電阻問題

1.6電晶體替代負載電阻方案

1.6.1 NMOS飽和負載反相器

1.6.2帶線性負載設備的NMOS反相器

1.6.3帶耗盡型負載的NMOS反相器

1.7 NMOS反相器小結與比較

1.8速度飽和對靜態反相器設計的影響

1.8.1開關電晶體設計

1.8.2負載電晶體設計

1.8.3速度飽和影響小結

1.9 NMOS反及閘及反或閘

1.9.1反或閘

1.9.2反及閘

1.9.3 NMOS耗盡型工藝中的反或閘及反及閘版圖

1.10複雜NMOS邏輯設計

1.11功耗

1.11.1靜態功耗

1.11.2動態功耗

1.11.3 MOS邏輯門的功率縮放

1.12 MOS邏輯門的動態特性

1.12.1邏輯電路中的電容

1.12.2帶阻性負載的NMOS反相器的動態響應

1.12.3比較NMOS延遲反相器

1.12.4速度飽和對反相器延遲的影響

1.12.5基於參攷電路模擬的縮放

1.12.6固有門延遲的環形振盪器測量法

1.12.7無負載反相器的延遲

1.13 PMOS邏輯

1.13.1 PMOS反相器

1.13.2反及閘和反或閘

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習題

第2章CMOS邏輯電路設計

2.1 CMOS反相器

2.2 CMOS反相器的靜態特性

2.2.1 CMOS電壓傳輸特性

2.2.2 CMOS反相器的雜訊容限

2.3 CMOS反相器的動態特性

2.3.1傳播延遲估計

2.3.2上升時間和下降時間

2.3.3按效能等比例縮放

2.3.4速度飽和效應對CMOS反相器延遲的影響

2.3.5級聯反相器延遲

2.4 CMOS功耗及功耗延遲積

2.4.1靜態功耗

2.4.2動態功耗

2.4.3功耗延遲積

2.5 CMOS反或閘和反及閘

2.5.1 CMOS反或閘

2.5.2 CMOS反及閘

2.6 CMOS複雜門電路設計

2.7邏輯門的小尺寸設計及效能

2.8級聯緩衝器

2.8.1級聯緩衝器延遲模型

2.8.2級數

2.9 CMOS傳輸門

2.10雙穩態電路

2.10.1雙穩態鎖存器

2.10.2 RS觸發器

2.10.3採用傳輸門的D鎖存器

2.10.4主從D觸發器

2.11 CMOS閂鎖效應

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習題

第3章MOS記憶體及其電路

3.1隨機存取記憶體

3.1.1 RAM記憶體架構

3.1.2 256Mb記憶體晶片

3.2靜態記憶體單元

3.2.1記憶體單元的隔離和訪問（6T單元）

3.2.2讀操作

3.2.3向6T單元寫數據

3.3動態存儲單元

3.3.1 1T單元

3.3.2 1T單元的資料存儲

3.3.3 1T單元的數據讀取

3.3.4 4T單元

3.4感測放大器

3.4.1 6T單元的感測放大器

3.4.2 1T單元的感測放大器

3.4.3升壓字線電路

3.4.4鐘控CMOS感測放大器

3.5地址解碼器

3.5.1反或閘解碼器

3.5.2反及閘解碼器

3.5.3傳輸管列解碼器

3.6只讀存儲器

3.7閃存

3.7.1浮栅科技

3.7.2 NOR電路實現

3.7.3 NAND電路實現

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習題

第4章雙極型邏輯電路

4.1電流開關（發射極耦合對）

4.1.1電流開關靜態特性的數學模型

4.1.2對於vI>VREF的電流開關分析

4.1.3 vI

4.2發射極耦合邏輯門

4.2.1 vI = VH時的ECL門

4.2.2 vI=VL時的ECL門

4.2.3 ECL門的輸入電流

4.2.4 ECL小結

4.3 ECL門的雜訊容限分析

4.3.1 VIL、VOH、VIH和VOL

4.3.2雜訊容限

4.4電流源的實現

4.5 ECL或反或閘

4.6射極跟隨器

4.7“發射極點接”及“線或”邏輯

4.7.1射極跟隨器輸出的並聯連接

4.7.2“線或”邏輯函數

4.8 ECL功耗延遲特性

4.8.1功耗

4.8.2門延遲

4.8.3功耗延遲積

4.9正射極耦合邏輯

4.10電流型邏輯

4.10.1 CML邏輯門

4.10.2 CML邏輯電平

4.10.3 VEE供電電壓

4.10.4高電平CML

4.10.5降低CML功耗

4.10.6源極耦合FET邏輯

4.11飽和雙極型反相器

4.11.1靜態反相器特性

4.11.2雙極型電晶體的飽和電壓

4.11.3負載線視覺化

4.11.4飽和BJT的開關特性

4.12電晶體電晶體邏輯

4.12.1 vI=VL時的TTL反相器分析

4.12.2 vI= VH時的TTL反相器分析

4.12.3功耗

4.12.4 TTL傳播延遲和功率延遲積

4.12.5 TTL的電壓傳輸特性和雜訊容限

4.12.6標準TTL的扇出限制

4.13 TTL中的邏輯函數

4.13.1多發射極輸入電晶體

4.13.2 TTL反及閘

4.13.3輸入鉗比特二極體

4.14肖特基鉗比特TTL

4.15 ECL和TTL的功耗延遲對比

4.16 BiCMOS邏輯

4.16.1 BiCMOS緩衝器

4.16.2 BiNMOS反相器

4.16.3 BiCMOS邏輯門

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習題

附錄A標準離散元器件值

A.1電阻

A.2電容

A.3電感

附錄B固態器件模型及SPICE模擬參數

B.1 pn結二極體

B.2 MOS場效應管

B.3結型場效應管

B.4雙極型電晶體

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深入理解微電子電路設計——電子元器件原理及應用（原書第5版）

編輯推薦

本書內容全面，既有電子學相關的基礎概念、分析方法，也有電子元器件相關的電路效能等，內容由淺入深，前後連接緊密，能够激發讀者學習興趣，並能啟迪讀者創新。 本書採用電腦作為輔助工具，許多電路設計提供了SPICE模擬模型，便於讀者對所設計電路進行效能上的類比驗證。 每一章都提供了大量的設計實例，每一章的*後都會給出專門的設計習題、電腦習題和SPICE習題。

內容簡介

本書系統論述了電子元器件主要電路的基本知識及其應用。 從電子學的基本原理入手，介紹了基本的分壓和分流原理、大衛南定理、放大器等基本概念，給出了元器件的容差數學模型以及電路設計中常用的*差情况分析、蒙特卡洛分析等主要分析方法，詳細介紹了半導體材料特性、二極體PN結特性、二極體SPICE模型、整流電路、 場效應管及雙極型電晶體的特性及SPICE分析等。 本書從工程求解角度定義了一種非常清晰的問題求解方法，書中提供的大量設計實例都是採用該方法進行求解，有助於讀者加深對相關電路設計的理解與掌握。 通過本書的學習，讀者可以全面掌握電子元器件及其電路的概念和知識，能够學會相關電路分析及電路設計方法，書中給了大量的設計練習可供讀者進行學習與實踐。 本書可以作為電子資訊類、電氣類專業大學生或研究生作為專業教材或參考書，也可以作為從事固態電子學與器件、數位電路和類比電路設計或開發的工程技術人員的參考資料。

作者簡介

[美]理查·C.耶格（Richard C. Jaeger）：美國佛羅里達大學電氣工程專業博士，奧本大學電力與電腦工程系資深教授，1995年被任命為研究生院傑出導師，主要研究領域為固態電路和器件、電子封裝、壓阻應力感測器、低溫電子設備、VLSI設計以及電子設備和電路中的雜訊等。

[美]特拉維斯·N.布萊洛克（Travis N. Blalock）：美國佛吉尼亞大學電力與電腦工程系教授。

目錄

第1章電子學簡介

1.1電子學發展簡史：從真空管到巨大規模集成電路

1.2電子學訊號分類

1.2.1數位信號

1.2.2類比信號

1.2.3 A/D和D/A轉換器——連接類比與數位信號的橋樑

1.3符號約定

1.4解决問題的方法

1.5電路理論的主要概念

1.5.1分壓和分流

1.5.2大衛南定理和諾頓定理

1.6電子學訊號的頻譜

1.7放大器

1.7.1理想運算放大器

1.7.2放大器頻率回應

1.8電路設計中元器件參數值的變化

1.8.1容差的數學模型

1.8.2差情况分析

1.8.3蒙特卡洛分析

1.8.4溫度係數

1.9數值精度

小結

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習題

第2章固態電子學

2.1固態電子材料

2.2共價鍵模型

2.3電晶體中的漂移電流和遷移率

2.3.1漂移電流

2.3.2遷移率

2.3.3速率飽和

2.4本征矽的電阻率

2.5電晶體中的雜質

2.5.1矽中的施主雜質

2.5.2矽中的受主雜質

2.6摻雜電晶體中的電子和空穴濃度

2.6.1 n型資料

2.6.2 p型資料

2.7摻雜電晶體的遷移率和電阻率

2.8擴散電流

2.9總電流

2.10能帶模型

2.10.1本征電晶體中電子空穴對的產生

2.10.2摻雜電晶體的能帶模型

2.10.3補償電晶體

2.11集成電路製造概述

小結

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習題

第3章固態二極體和二極體電路

3.1 pn結二極體

3.1.1 pn結靜電學

3.1.2二極體內部電流

3.2二極體的IV特性

3.3二極體方程：二極體的數學模型

3.4反偏、零偏、正偏下的二極體特性

3.4.1反偏

3.4.2零偏

3.4.3正偏

3.5二極體的溫度係數

3.6二極體反偏

3.6.1實際二極體的飽和電流

3.6.2反向擊穿

3.6.3擊穿區的二極體模型

3.7 pn結電容

3.7.1反偏

3.7.2正偏

3.8肖特基二極體

3.9二極體的SPICE模型及版圖

3.10二極體電路分析

3.10.1負載線分析法

3.10.2二極體數學模型分析法

3.10.3理想二極體模型

3.10.4恒壓降模型

3.10.5模型比較與討論

3.11多二極體電路

3.12擊穿區域二極體分析

3.12.1負載線分析

3.12.2分段線性模型分析

3.12.3穩壓器

3.12.4包含齊納電阻的電路分析

3.12.5線性調整率和負載調整率

3.13半波整流電路

3.13.1帶負載電阻的半波整流器

3.13.2整流濾波電容

3.13.3帶RC負載的半波整流器

3.13.4紋波電壓和導通期

3.13.5二極體電流

3.13.6浪湧電流

3.13.7額定峰值反向電壓

3.13.8二極體功耗

3.13.9輸出負電壓的半波整流器

3.14全波整流電路

3.15全波橋式整流

3.16整流器的比較及折中設計

3.17二極體的動態開關行為

3.18光電二極體、太陽能電池和發光二極體

3.18.1光電二極體和光探測器

3.18.2太陽能電池

3.18.3發光二極體

小結

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習題

第4章場效應管

4.1 MOS電容特性

4.1.1積累區

4.1.2耗盡區

4.1.3反型區

4.2 NMOS電晶體

4.2.1 NMOS電晶體的IV特性的定性描述

4.2.2 NMOS電晶體的線性區特性

4.2.3導通電阻

4.2.4跨導

4.2.5 IV特性的飽和

4.2.6飽和（夾斷）區的數學模型

4.2.7飽和的跨導

4.2.8溝道長度調製

4.2.9傳輸特性及耗盡型MOSFET

4.2.10體效應或襯底靈敏度

4.3 PMOS電晶體

4.4 MOSFET電路模型

4.5 MOS電晶體電容

4.5.1 NMOS電晶體的線性區電容

4.5.2飽和區電容

4.5.3截止區電容

4.6 SPICE中的MOSFET建模

4.7 MOS電晶體的等比例縮放

4.7.1漏極電流

4.7.2柵極電容

4.7.3電流和功率密度

4.7.4功耗延遲積

4.7.5截止頻率

4.7.6大電場限制

4.7.7包含高場限制的統一MOS電晶體模型

4.7.8亞閾值導通

4.8 MOS電晶體的制造技術及版圖設計規則

4.8.1小特徵尺寸和對準容差

4.8.2 MOS電晶體的版圖

4.9 NMOS場效應管的偏置

4.9.1為什麼需要偏置

4.9.2四電阻偏置

4.9.3恒定栅源電壓偏置

4.9.4 Q點的圖形分析

4.9.5包含體效應的分析

4.9.6使用統一模型進行分析

4.10 PMOS場效應電晶體的偏置

4.11結型場效應管

4.11.1偏壓下的JFET

4.11.2漏源偏置下的JFET溝道

4.11.3 n溝道JEFT的IV特性

4.11.4 p溝道JFET

4.11.5 JFET的電路符號和模型小結

4.11.6 JFET電容

4.12 JFET的SPICE模型

4.13 JFET和耗盡型MOSFET的偏置

小結

關鍵字

參考文獻

習題

第5章雙極型電晶體

5.1雙極型電晶體的物理結構

5.2 npn電晶體的傳輸模型

5.2.1正向特性

5.2.2反向特徵

5.2.3任意偏置條件下電晶體傳輸模型方程

5.3 pnp電晶體

5.4電晶體傳輸模型的等效電路

5.5雙極型電晶體的IV特性

5.5.1輸出特性

5.5.2傳輸特性

5.6雙極型電晶體的工作區

5.7傳輸模型的化簡

5.7.1截止區的簡化模型

5.7.2正向有源區的模型簡化

5.7.3雙極型集成電路中的二極體

5.7.4反向有源區的簡化模型

5.7.5飽和區模型

5.8雙極型電晶體的非理想特性

5.8.1結擊穿電壓

5.8.2基區的少數載流子傳輸

5.8.3基區傳輸時間

5.8.4擴散電容

5.8.5共發電流增益對頻率的依賴性

5.8.6 Early效應和Early電壓

5.8.7 Early效應的建模

5.8.8 Early效應的產生原因

5.9跨導

5.10雙極工藝與SPICE模型

5.10.1定量描述

5.10.2 SPICE模型方程

5.10.3高性能雙極型電晶體

5.11 BJT的實際偏置電路

5.11.1四電阻偏置

5.11.2四電阻偏置電路的設計目標

5.11.3四電阻偏置電路的反覆運算分析

5.12偏置電路的容差

5.12.1壞情况分析

5.12.2蒙特卡洛分析

小結

關鍵字

參考文獻

習題

附錄A標準離散組件值

A.1電阻

A.2電容

A.3電感

附錄B固態器件模型及SPICE模擬參數

B.1 pn結二極體

B.2 MOS場效應管

B.3結型場效應管

B.4雙極型電晶體

附錄C二埠回顧

C.1 g參數

C.2混合參數或h參數

C.3導納參數和y參數

C.4阻抗參數或z參數